Thời gian tán xạ của điện tử trong giếng lượng tử GaAs/InGaAs/GaAs ở nhiệt độ hữu hạn có xét đến hiệu ứng tương quan trao đổi

Chúng tôi khảo sát tỉ số thời gian tán xạ vận chuyển tt và thời gian hồi phục đơn hạt ts của

khí điện tử tựa hai chiều (Q2DEG) trong giếng lượng tử ghép mạng không đối xứng hữu hạn

GaAs/InGaAs/GaAs ở nhiệt độ bất kỳ có xét đến hiệu ứng tương quan – trao đổi thông qua hiệu

chỉnh trường cục bộ LFC với gần đúng G = 0, gần đúng Hubbard GH , và gần đúng tự hợp STLS

GGA. Chúng tôi xem xét các tán xạ bề mặt nhám, áp điện nhám-cộng hưởng, tạp chất tích điện

xa và tạp chất tích điện nền đồng nhất theo mật độ điện tử và theo bề rộng giếng. Trong trường

hợp nhiệt độ bằng không và hiệu chỉnh trường cục bộ Hubbard GH , kết quả chúng tôi phù hợp

với kết quả của một số tính toán khác. Tại mật độ hạt tải thấp, hiệu chỉnh tương quan – trao đổi

ảnh hưởng đáng kể lên tỉ sổ thời gian vận chuyển và thời gian hồi phục đơn hạt.