Xác định độ sâu bẫy bắt điện tử trong vật liệu thủy tinh phốt phát pha tạp tecbi (Tb)

Thủy tinh phốt phát có hợp phần P2O5, CaO, Na2O và Tb2O3 – ký hiệu là

PCN:Tb được chế tạo bằng phương pháp dập tắt nóng chảy. Các khảo sát thực nghiệm

cho thấy thủy tinh thu được có hiệu ứng nhiệt phát quang khá mạnh khi sử dụng tác nhân

kích thích là tia bêta với đường nhiệt phát quang tích phân có hai đỉnh ở khoảng 160 oC

và 249oC. Dùng phương pháp vùng tăng ban đầu đã xác định được bẫy bắt điện tử liên quan

đến đỉnh ở 249oC có độ sâu khoảng Et = 1,032eV. Có thể dùng đỉnh nhiệt phát quang này để

đo liều bức xạ bêta trong khoảng liều chiếu khá rộng, từ một vài cho tới vài chục Gy.